Samsung бүгүн 3 нанометрдик өндүрүш процессин колдонуу менен жаңы DDR20 DRAM модулдарын массалык түрдө чыгара баштады. Бул жаңы модулдардын сыйымдуулугу 4 Гб, б.а. 512 МБ. Бирок, айрым модулдардын жеткиликтүү эс тутуму алардын негизги өзгөчөлүгү эмес. Прогресс жаңы өндүрүш процессин колдонууда турат, бул эски 25 нанометрдик процесске салыштырмалуу энергияны 25% га чейин төмөндөтөт.
20 нм технологияга өтүү компанияны 10 нм процессин колдонуу менен эс тутум модулдарын өндүрүүнү баштоодон ажыраткан акыркы кадам болуп саналат. Учурда жаңы модулдарда колдонулган технология да рынокто эң алдыңкы болуп саналат жана аны компьютерлер менен гана эмес, мобилдик түзүлүштөр менен да колдонсо болот. Компьютерлер үчүн бул Samsung азыр бирдей өлчөмдөгү микросхемаларды түзө алат дегенди билдирет, бирок оперативдүү эс тутуму кыйла чоңураак. Samsung ошондой эле учурдагы өндүрүш ыкмасын сактап, микросхемаларды кичирейтүү үчүн учурдагы технологиясын өзгөртүүгө туура келди.
- Сизди кызыктырышы мүмкүн: Samsung биринчи 8Gb LPDDR4 мобилдик DRAM эс тутумун иштеп чыкты
