Samsung жана Qualcomm бир нече жаңы телефондордун жүрөгү боло турган дагы бир чипсетти жарыялашты. Бул Snapdragon 835 жана 10 нм FinFET технологиясы менен өндүрүлгөн. Кытайдан келген маалыматка караганда, процессор төрт эмес, сегиз өзөктү сунуштайт. Ошентип, Snapdragon 835 чыныгы кынтыксыз болот.
Adreno 540 чипи, UFS 2.1 технологиясын колдогон SoC жана башкалар графиканы иштетүүгө кам көрөт. Universal Storage Flash 2.1 мурунку версияларга караганда олуттуу жакшыртууну сунуштап, коопсуздукту жана башкаларды жакшыртат. Кыязы, бул жаңы процессорду алган биринчи модель болот Galaxy S8 келерки жылдын биринчи жарымында келиши керек.
Документте Qualcomm компаниясынын 2-жылдын 2017-чейрегинде күтүшүбүз керек болгон дагы бир жарыяланбаган чипсетке шилтеме жасалаарын белгилей кетүү керек. Snapdragon 660 Adreno 512 GPU жана UFS 2.1 колдоосу менен бирге сегиз ядро менен келет. Бирок, Snapdragon 660 14 нм эмес, 10 нм процессинин жардамы менен өндүрүлөт.
Маалымат булагы: PhoneArena
