Samsung расмий түрдө смартфондор үчүн 8 ГБ LPDDR5 DRAM чипти сунуштады. Компаниянын айтымында, бул технология менен жасалган биринчи 8 ГБ LPDDR5 чип 10нм-класс, бул 10 жана 19 нм ортосунда болушу мүмкүн. Мурунку, башкача айтканда, 8 ГБ LPDDR4 чип 2014-жылы чыгарылган, ошондуктан Түштүк Кореянын гиганты инновацияны ойлоп тапканга чейин убакыт маселеси гана болгон.
Samsung LPDDR5 тиркемени негизинен 5G, автоунаа жана жасалма интеллектти колдонгон мобилдик түзмөктөрдө табаарын билдирди. 6 Мбит/сек өткөрүп берүү ылдамдыгы менен 400 ГБ LPDDR8 DRAM чипи учурдагы флагмандарда колдонулган мобилдик DRAM чиптеринен 5 эсе тезирээк. Galaxy S9 4 Мбит/сек маалымат ылдамдыгы менен LPDDR4X чипине ээ. LPDDR266 секундасына 5 ГБ маалыматтарды жөнөтө алат, бул болжол менен 51,2 HD видео файлды түзөт.
Samsung 1,1 В чыңалуудагы толук өткөрүү жөндөмдүүлүгүн, ошондой эле 5 В боюнча начарыраак жана үнөмдүү 500 Мб/с версиясын сунуштайт. LPDDR1,05 ошондой эле терең уйку режимин сунуштайт (Deep Уйку), бул учурдагы LPDDR4X DRAMдардын энергия керектөөсүн болжол менен эки эсеге кыскартат. Samsung жаңы чип менен энергияны керектөөнү 30% га чейин азайтып, ошону менен смартфондун батареяларынын иштөө мөөнөтүн узарта алат деп ырастайт.
Балким, чип дагы эле у Galaxy Note9 көрүнбөйт, бирок аны кийинки жылы алат Galaxy S10.
