АКШнын президенти Жо Байден бүгүндөн баштап Түштүк Кореяга барат жана анын биринчи аялдамасы Пхеньяндагы Samsung жарым өткөргүч фабрикасы болот. Кабарларга караганда, Samsung Electronics вице-президенти Ли Чжэ Ён дүйнөдөгү эң чоң заводду кыдырат.
Фотогалерея
Ли Байденге Samsung Foundry бөлүмү тарабынан чыгарылган 3нм GAA чиптерин көрсөтөт деп күтүлүүдө. GAA (Gate All Around) технологиясы компания тарабынан тарыхта биринчи жолу колдонулат. Ал буга чейин жакынкы бир нече айда 3 нм GAA чиптерин массалык түрдө чыгара баштаарын айткан. Бул чиптер 30 нм микросхемаларга караганда 5% жогору өндүрүмдүүлүктү жана 50% га чейин азыраак энергия керектөөнү сунуштайт деп айтылат. Белгилей кетчү нерсе, алгачкы иштеп чыгууда 2 нм өндүрүш процесси бар, ал 2025-жылы башталышы керек.
Сиз кызыкдар болушу мүмкүн
Соңку бир нече жылда Samsung'тун чипти өндүрүү технологиясы кирешелүүлүгү жана энергияны үнөмдөөчүлүгү боюнча өзүнүн эң негизги атаандашы TSMCдан артта калды. сыяктуу ири кардарларынан ажыраган кореялык гигант Apple a Qualcomm. 3 нм GAA чиптери менен ал акыры TSMCдин 3 нм чиптерин кууп же басып кете алат.
