Samsung Electronics 4 Гб өлчөмүндөгү эң өнүккөн DDR8 эстутум модулдарын массалык түрдө чыгарууну баштаганын жарыялады жана алар менен бирге корпоративдик серверлер үчүн арналган биринчи 32 ГБ DDR4 оперативдүү эс тутум модулдарын чыгарууну баштады. Бул жаңы оперативдүү эс тутумдар жаңы 20 нм өндүрүш процессин колдонуу менен өндүрүлгөн, бул процесс бүгүнкү күндө эң алдыңкы мобилдик процессорлорду өндүрүү үчүн колдонулган процесс. Samsung бул эстутум модулдары кийинки муундагы корпоративдик серверлерде жогорку өндүрүмдүүлүктүн, жогорку тыгыздыктын жана энергияны үнөмдөөнүн бардык талаптарына жооп берет деп ырастайт.
Мындан тышкары, жаңы 8Gb DDR4 модулдары менен Samsung 20 нм өндүрүш процессинде өндүрүлгөн DRAM модулдарынын бүткүл линиясын жыйынтыктады. Бүгүнкү күндө бул серия мобилдик түзүлүштөр үчүн 6 Гб LPDDR3 жана ЖК үчүн 4 Гб DDR3 модулдарын камтыйт. Андан кийин, жогоруда айтылгандай, Samsung 32 ГБ RDIMM эстутум модулдарын чыгара баштады, алар бир пинге 2 Мбит/сек өткөрүү ылдамдыгын сунуштайт, бул DDR400 сервердик эс тутумунун 29 Мбит/сек өткөрүү ылдамдыгына салыштырмалуу 1%га өсүштү билдирет. Бирок бул технологиянын мүмкүнчүлүктөрү 866 ГБ менен токтоп калбайт жана Samsung 3D TSV технологиясын колдонуу менен 32 ГБга чейин эстутум модулун иштеп чыгууга болорун билдирди. Жаңы модулдардын артыкчылыгы - бул DDR3 чиптери 128 вольтту талап кылгандыктан, азыркы учурда эң төмөнкү чыңалуу болуп саналат.
//
//
*Булак: Samsung
