Жарнама жабуу

20nm-4Gb-DDR3-03Samsung дагы бир нерсе боюнча биринчи болду. Бул жолу түштүк кореялык компания дүйнөдөгү эң ылдам оперативдүү эстутум түзүүгө жетишкенин жарыялады. DDR5 эстутуму HBM2 интерфейсин колдонот жана 256 ГБ/сек чейин өткөрүү ылдамдыгына жөндөмдүү, бул графикалык карталарда колдонулган мурунку DDR7 модулдарына караганда 5 эсеге тезирээк. Компания өзүнүн супер-тез 4 ГБ DDR5 эс тутумун корпоративдик серверлерди өндүрүүчүлөргө, ошондой эле графикалык карталарды, nVidia жана AMD өндүрүүчүлөрүнө берерин жарыялады.

Графикалык карталар үчүн эс тутум модулдары 20 нм өндүрүш процессинин жардамы менен өндүрүлөт, бул аларды бүгүнкү эстутумдарга караганда азыраак керектеп, жогорку аткарууну сунуш кылат. Учурда 4 гигабиттик өзөктүү төрт катмардан турган 8 ГБ микросхемалар чыгарылууда, бирок алар жакында сегиз катмарлуу 8 ГБ эстутум чыгарууга киришет.

20нм 8Гб DDR4 Samsung

 

*Булак: SamMobile

Темалар: , ,

Бүгүнкү күндө эң көп окулган

.